Numero di Prodotto del Fabbricante:
TSM110NB04LCR RLG
Product Overview
Produttore:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numero di Parte:
TSM110NB04LCR RLG-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 12A (Ta), 54A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Inventario:
26380 Pz Nuovo Originale Disponibile
12898227
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TSM110NB04LCR RLG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Taiwan Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Ta), 54A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1269 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-PDFN (5.2x5.75)
Pacchetto / Custodia
8-PowerLDFN
Numero di prodotto di base
TSM110
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
-2068-TSM110NB04LCRRLGCT
TSM110NB04LCRRLGDKR
-2068-TSM110NB04LCRRLGTR
TSM110NB04LCRRLGCT
-2068-TSM110NB04LCRRLGTR-DG
-2068-TSM110NB04LCRRLGDKR
TSM110NB04LCRRLGTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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